GL8 MLA Gen2工藝紫外納米壓印光刻設備

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簡要描述：GL8 MLA Gen2工藝紫外納米壓印光刻設備是一種專門為晶圓級光學加工（WLO-Wafer Level Optics）開發的全幅紫外納米壓印設備，可在200mm基底面積上平行復制生產聚合物光學器件。

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GL8 MLA Gen2工藝紫外納米壓印光刻設備是一種專門為晶圓級光學加工（WLO-Wafer Level Optics）開發的全幅紫外納米壓印設備，可在200mm基底面積上平行復制生產聚合物光學器件。

GL8 MLA Gen2是一種專門為晶圓級光學加工（WLO-Wafer Level Optics）開發的全幅紫外納米壓印設備，可在200mm基底面積上平行復制生產聚合物光學器件。

該設備支持從晶圓級母模具表面自動復制柔性復合工作模具，工作模具具有精度高，壽命長等特點，可以顯著降低大面積納米壓印工藝中模具使用成本。內置的點膠系統、APC（主動模具基底平行控制）技術、以及自動脫模功能都保證了大面積晶圓級光學生產的精度、均勻性（TTV）與良率。同時，自動模具基底對位系統還可實現晶圓之間對位堆疊工藝（WLS-Wafer Level Stacking）。

GL8 MLA納米壓印設備適用于DOE、勻光片（Diffuser）、微透鏡陣列、菲涅爾透鏡等產品的研發和量產。

GL8 MLA Gen2工藝紫外納米壓印光刻設備主要功能

●經過量產驗證的200mm晶圓級光學生產（WLO）設備
●APC主動模具基底平行控制技術，確保大面積晶圓壓印TTV均勻性
●設備內自動復制柔性復合工作模具，降低大面積納米壓印模具使用成本
●內置自動點膠功能
●自動壓印、自動曝光固化、自動脫模，工藝過程無需人工干預
●標配高功率紫外LED面光源（365nm，光強>1000mW/cm2 ），水冷冷卻，特殊功率以及特殊、混合波長光源可訂制，支持各種商用納米壓印材料
●標配設備內部潔凈環境與除靜電裝置
●隨機提供全套納米壓印工藝與材料，包括標準示范WLO等工藝流程，幫助客戶零門檻達到高質量的納米壓印水平

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相關參數

兼容基底尺寸	2inch、100mm、150mm、200mm 特殊尺寸可以定制
支持基底材料	硅片、玻璃、石英、塑料、金屬等
上下片方式	手動上下片
晶圓預對位	機械夾持預對位，可選裝光學巡邊預對位
納米壓印技術	APC主動平行控制技術，適合大面積WLO、WLS等工藝
壓印精度	優于10nm*
結構深寬比	優于10比1*
TTV控制	微米級精度（200mm晶圓）
紫外固化光源	紫外LED（365nm）面光源，光強>1000mW/cm2，水冷冷卻（2000mW/cm2類型光源可選配）
設備內部環境控制	標配，外部環境Class 100，內部環境可達Class 10*
自動壓印	支持
自動脫模	支持
自動工作模具復制	支持
模具基底對位功能	自動對位（選配）

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